EE841 - MODELAGEM DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

 

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Período de Oferecimento da Disciplina, segundo a convenção:
1 - Primeiro Período Letivo
2 - Segundo Período Letivo
5 - Ambos os Semestres Letivos.
6 - A Critério da Unidade
Horas-aula Semanais de Teoria Horas-aula Semanais de Prática Horas-aula Semanais de Laboratório Horas-aula Semanais Horas-aula Semanais em Sala Crédito da Disciplina, Relativo a um período letivo de quinze semanas

 

Pré Requisitos EE616
 

        

Ementa Propriedades de transporte de carga em semicondutores; equação do diodo, capacitância das junções, distribuições homogêneas de dopagem; modelos para os transistores bipolares - Ebers-Moll e Gummel-Poon; Diferença de potencial de contato. Equação do diodo. Capacitância das junções; modelos para transistores unipolares.
 
Ementa Detalhada 1. Propriedades de transporte de cargas em semicondutores: Mobilidade e coeficiente de difusão de elétrons e lacunas; transporte de cargas por comdução e por difusão. 2. Distribuição Homogênea de Dopagem: Distribuição de portadores (elétrons e lacunas) em função de energia. 3. Diferença de potencial de contato: Esboço de diagrama de faixas de energias de contatos entre: metal/metal, metal/semicondutor, semicondutor/semicondutor. Estrutura do diodo Schottky e estruturas MOS. 4. Equação do Diodo: Equação do diodo de junção P.N.. 5. Capacitância das junções: Capacitância da junção P.N.. 6. Modelos para Transistores Unipolares: Diagrama de faixas e energias de uma estrutura MOS fora do equilíbrio termodinâmico. Níveis quasi-Fermi. Conceito de tensão de transição (VT). Equação do transistor MOS submetido a tensões diferentes em cada um dos eletrodos (porta, substrato, fonte e dreno). Efeito de modulação do canal. Modelos incrementais. 7. Modelos para os Transistores Bipolares: Fluxos de portadores e parcelas de correntes. Equação do transistor. Modelos de Ebers-Moll e Gummel-Poon. Modelos incrementais.
 
Bibliografia

Notas de aula.

   
Professor(es) Responsáve(l/is) pela Atualização 29/01/2007