Defesa de Tese - Cássio Roberto de Almeida

Data: 
Jueves, 31 Enero, 2019 - 13:30

Candidato: Cássio Roberto de Almeida
Nivel: Doutorado
Titulo: Fabricação e Caracterização de Transistores HBT, MOSFET, TFET e JNT baseados em Substratos III-V com Passivação de Nitreto de Silício
Data: 31/01/2019
Horario: 13:30 Hs
Local: LE46 - Sala de Seminários
Orientador: Prof. Dr. José Alexandre Diniz (FEEC/UNICAMP)
Banca: Prof. Dr. José Alexandre Diniz (FEEC/UNICAMP)
Prof. Dr. Leandro Tiago Manera (FEEC/UNICAMP)
Prof. Dr. Leonardo Breseghello Zoccal (IESTI/UNIFEI)
Dr. Ricardo Cotrin Teixeira (/CTI)
Dr. Ricardo Toshinori Yoshioka (/Instituto de Pesquisas Eldorado)
Prof. Dr. Hudson Giovani Zanin (FEEC/UNICAMP) - suplente
Prof. Dr. Fabiano Fruett (FEEC/UNICAMP) - suplente
Dra. Angelica Denardi de Barros (/CTI Renato Archer) - suplente