O aluno de iniciação científica Paulo Gonçalves Serra Neto foi agraciado com o prêmio de Mérito Científico pela Pró-Reitoria de Pesquisa da Unicamp. O reconhecimento veio pelo trabalho apresentado no XXXII Congresso de Iniciação Científica, intitulado “Modulação da Altura da Barreira Schottky em Filmes Finos de Silício Tipo-p Tensionado”.
A pesquisa, orientada pelo Prof. Marcos Puydinger e desenvolvida no CCSNano/Unicamp, propõe uma metodologia inovadora para prototipagem rápida de transistores MOSFET, sem necessidade de processos complexos de microfabricação. Trata-se de um trabalho de engenharia de contatos elétricos em filmes finos de silício sujeitos a tensões mecânicas moduláveis (até 200 MPa), que permitiu otimizar amplamente a resistência série dos dispositivos. Essa abordagem contribui significativamente para a caracterização de materiais semicondutores, oferecendo soluções de baixo custo e alta eficiência. O trabalho está inserido no contexto do projeto INCT NAMITEC, do CNPq.
A entrega do prêmio ocorreu no dia 12/12, às 9h, na Sala de Reuniões do Conselho Universitário (CONSU).
